Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
IMPATT-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Kleinsignalanalyse — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Lawinen-Laufzeit-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Lawinenlaufzeitdiode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
Read-Diode — Die IMPATT Diode ist ein Hochfrequenz Halbleiter Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Der Name leitet sich von der englischen Bezeichnung Impact Ionization Avalanche Transit Time Diode ab, im… … Deutsch Wikipedia
couche fortement dopée — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
high-concentration layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
highly-doped layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
